忻州中科晶电信息材料有限公司（以下简称“公司”）是在中国制造2025、国家战略性新兴产业重要发展的大环境下，以山西进一步深化改革促进资源型经济转型发展为契机，由中科晶电集团控股成员企业、忻州市开发区太行产业投资基金合伙企业以及忻州市开发区通汇建设发展有限责任公司共同投资设立的一家高科技新型半导体材料企业，选址于忻州经济开发区核心园区，注册资本12000万元，2018年6月兴建，2018年11月产线通线。

　　主营业务：公司以研发、生产和销售砷化镓衬底材料为主营，砷化镓衬底材料是第二代III-V族化合物半导体，通过多晶合成、单晶生长和晶片加工等工艺制备而成，主要用于LD（激光器）、LED（发光二极管）、OEIC（光电子集成电路）、光伏器件、MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等元器件的制作，广泛应用于光电子和微电子工业领域，是新型半导体材料行业最为重要的支撑材料之一。

　　主要产品：【砷化镓GaAs】。砷化镓是（gallium arsenide）一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。

　　产品优点：GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管)以发射微波。GaAs的另一个优点是，因为其是直接能隙的材料，所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料，只能发射非常微弱的光。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

　　目标规划：公司于2019年被评为年山西省优秀企业，入选山西省工业高质量发展先进模式推荐目录。此外，公司重视科研，申请专利14项：其中发明2项，实用新型12项。设立有市级技术中心、市级工程技术中心。早期与北京工业大学在半导体材料项目达成产学研合作。2020年6月与中北大学共同建立半导体就业实习基地。公司视“资源、战略、创新、市场、政企合作”为发展基石，以“知识引导创新、创新带动生产，生产回报投资”为指导思想，背靠忻州市优质营商环境，依托中科晶电集团在技术、人才、渠道等方面的优势和经验，立志推进公司砷化镓衬底材料成为忻州市科技产业发展的新动力、新引擎和新亮点，努力实现对产业转型升级带来积极的示范作用。全力向客户满意、社会信任、投资者青睐的世界级砷化镓化合物半导体材料制造领军型企业目标迈进。